据台湾媒体报道，业内人士透露，台积电计划加速研发10纳米先机制程以迎战来自三星的竞争，据称三星已获得高通14纳米FinFET芯片生产的订单。
在研发FinFET制程中，台积电和三星之间的竞争非常激烈，三星开发14纳米制程，而台积电在研发16纳米制程。这两种制程将于2015年初进入量产。
台积电一直是研发FinFET技术的先锋，消息人士透露，该厂商将于2014年四季度生产16纳米FinFET芯片。
尽管如此，台积电已更改生产16纳米FinFET制程计划，该厂商计划推出更先进的16纳米FinFET制程，这意味着其芯片耗能更低，芯片尺寸也会更小。
不过，消息人士表示，三星研发的14纳米制程速度比台积电认为的更快，这促使台积电要加快研发10纳米技术，以维持其领先地位。
